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L79/HCS-霍爾效應測量系統
霍爾效應測量系統
L79/HCS系統可用於半導體組件性能表徵,包括:遷移率,電阻率,載流子濃度和霍爾常數。
基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫(液氮)附件結合高溫爐(最高溫度可達700°C)可保證所有應用領域環境條件下的測試。永磁體和電磁鐵可提供高達數個特斯拉強度的固定或者可變磁場。
基於測量軟件可顯示的視窗內容包括I-V 和 I-R 數據圖.
系統可測試多種材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可測量), 金屬膜, 氧化物等. 樣品測試時便可完成系統功能演示

特點
• 載流子濃度
• 電阻率
• 遷移率
• 電導率
• α (水平電阻值/垂直電阻值)
• 霍爾常數
• 磁致電阻