晶片式差示掃描量熱儀｜CHIP-DSC 1 & CHIP-DSC 10
全新一代晶片式 DSC（CHIP-DSC）將爐體、感測器與電子元件整合於一個小型透明外殼中， 晶片上同時配置加熱器與溫度感測器，並安置於化學惰性陶瓷基板上。此一設計可提供極佳的溫度控制、 優異的訊號再現性與快速的加熱/冷卻效能，同時降低系統體積與能耗。
晶片感測器本身質量低、響應快，不僅具高靈敏度，亦提供良好的動態回應， 加熱速率最高可達 100℃/min（甚至可進行高速升溫測試），非常適合熔融行為、 微弱相變與快速熱分析應用。使用者可自行更換晶片感測器，成本低且維護便利。
晶片式 DSC 的設計可直接提供可靠原始熱流資料，無需額外熱流前處理或事後補償，即可完成熱分析流程； 同時緊湊的結構設計大幅降低設備成本與能耗，提升整體效能與投資效益。
感測器與系統特色
- 整合式晶片感測器：加熱器與溫度感測器集成於陶瓷晶片中，熱傳遞穩定且反應快速。
- 高靈敏度：適合測試熔融行為與微弱熱轉變訊號。
- 低質量設計：提供優異加熱與冷卻速率，提升樣品通量。
- 快速冷卻能力：有利於進行多次循環測試及高通量分析。
- 感測器易更換：晶片感測器可在短時間內更換，並以較低成本恢復系統運作。
- 即時觀測樣品：透明外殼設計可輔助觀察樣品顏色變化、氣泡產生、煙霧等現象。
配件與軟體功能
- 坩堝：提供多種材質與尺寸，可依樣品性質選配。
- 氣體控制：可搭配手動、半自動或全自動（MFC）氣體箱，最多容納 4 種氣體。
- 真空系統：支援多種旋轉式與渦輪分子幫浦配置。
- 軟體介面：可選中文操作介面，支援資料匯出為 Excel 原始資料（Raw Data）。
技術規格｜CHIP-DSC 1
| 項目 | CHIP-DSC 1 |
|---|---|
| 溫度範圍 | RT ～ 450°C（無冷卻選項） |
| 加熱 / 冷卻速率 | 0.001 ～ 100 K/min |
| 溫度準確度 | ±0.2 K |
| 溫度精確度 | ±0.02 K |
| 數位化解析度 | 168,000 位元（圖元） |
| 熱流解析度 | 0.03 μW |
| 氣氛 | 惰性、氧化（靜態 / 動態） |
| 測量範圍 | ±2.5 ～ ±250 mW |
| 校準材料 | 隨機附贈 |
| 校準週期建議 | 建議每 6 個月校準一次 |
技術規格｜CHIP-DSC 10
| 項目 | CHIP-DSC 10 |
|---|---|
| 溫度範圍 | RT ～ 600°C -180 ～ 600°C（搭配液態氮或 Intracooler 冷卻） |
| 加熱 / 冷卻速率 | 0.001 ～ 300 K/min |
| 溫度準確度 | ±0.2 K |
| 溫度精確度 | ±0.02 K |
| 數位化解析度 | 168,000 位元（圖元） |
| 熱流解析度 | 0.03 μW |
| 氣氛 | 惰性、氧化（靜態 / 動態） |
| 測量範圍 | ±2.5 ～ ±250 mW |
| 校準材料 | 隨機附贈 |
| 校準週期建議 | 建議每 6 個月校準一次 |
典型應用案例
1）PET 顆粒測試：
聚合物分析是 DSC 的主要應用之一，常關注玻璃化轉變（Tg）、熔點與結晶行為。 透過高解析度晶片式 DSC，以 50 K/min 線性升溫分析 PET 顆粒，可清楚觀察：
- 約 80°C：玻璃化轉變（Tg）
- 約 148°C：冷結晶峰（非晶態轉為結晶區）
- 約 230°C：熔融峰
2）含能材料（如安全氣囊點火劑）：
傳統 DSC 量測含能材料時，感測器與爐體有損壞風險；晶片式 DSC 可在感測器損壞時， 由操作人員於數秒內更換晶片，並於約半小時內完成校準，大幅降低停機時間與維護成本。
3）不同加熱速率比較：
系統可在高加熱速率下（如 5、50、100、200、300、500 K/min 等）保持良好熔融焓再現性， 示例中以金屬銦為測試材料，一個完整量測（加熱＋冷卻）可在約 10 分鐘內完成，且不需額外冷卻裝置。
4）熱致變色與外觀變化觀察：
藉由可視化設計，可在 DSC 測試同時觀察樣品顏色變化、氣泡產生、煙霧生成等現象， 提供傳統 DSC 無法取得的輔助資訊，特別適合顏料、塗料、含氣體釋放樣品之研究。
